SK海力士联手NVIDIA开发下一代AI NAND：性能提升10倍！

12月11日消息，SK海力士宣布与将NVIDIA展开深度合作，共同开发下一代AI NAND解决方案，旨在解决AI运算与存储之间长期存在的瓶颈问题。

这款突破性产品预计在2026年底推出首批样本，其性能相较现有产品将提升近10倍。

SK海力士副社长Kim Cheon-seong在“2025人工智慧半导体未来技术会议（AISFC）”上指出，SK海力士正专注于针对数据中心和边缘计算的不同需求，开发高附加值的AI内存产品。

在AI数据中心领域，SK海力士正在开发一套名为“AIN Family”的产品线，该产品线由三种不同侧重点的NAND解决方案组成，分别针对性能（AI-NP）、频宽（AI-NB）和容量（AI-ND）进行优化。

其中，AI-NP是专为大规模AI推论环境设计的核心解决方案，其目标是通过全新的NAND与控制器架构，最大限度地降低AI运算与存储之间的数据瓶颈，从而大幅提升处理速度和能源效率。

Kim Cheon-seong透露，SK海力士正加速与NVIDIA合作进行AI-NP的概念验证，预计在2026年底将推出采用PCIe Gen 6接口的版本，并支持2500万次IOPS。

目前数据中心高性能企业级SSD的IOPS最高约在300万次左右，换言之，AI-NP的首批样本性能将是现有产品的8至10倍。

SK海力士预期在2027年底左右，将推动支持1亿次IOPS的第二代AI-NP产品量产，届时其性能有望达到现有eSSD的30倍以上。

除了AI-NP，SK海力士还在优化AI-NB产品，即高频宽闪存（HBF），其概念类似于HBM内存，但HBM是通过堆叠DRAM实现的，而HBF则是通过堆叠NAND闪存来制造。